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MOS 场效应晶体管制成(1950年代半导体实验室科学插画)
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距今 68 年太空时代

1959年

MOS 场效应晶体管制成

贝尔实验室的Atalla与Kahng在1959年制成可工作的金属—氧化物—半导体场效应晶体管,并于1960年公开演示。MOS工艺后来成为高密度芯片的基础。

画风 ·1950年代半导体实验室科学插画

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