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MemSilicon 表示，已完成 MountTai 2026（又称 Taishan-1）的流片。这是该公司基于 1TnR 方案的第一代高密度 RRAM 芯片，目前正在进行验证。 该公司称，这款芯片采用 28nm CMOS 工艺和 1T4R 结构，容量为 1Gb，密度为 30Mb/mm²，访问延迟低于 20ns，并具备片上硬件纠错功能。该架构由一个选择晶体管供四个电阻式存储单元共用，以降低每个单元的晶体管面积开销。
AI 根据报道生成 · 3 天前更新
沿着报道，了解事件的不同侧面。
MemSilicon于10月12日宣布，已完成MountTai 2026流片。这是该公司基于1TnR方案的第一代高密度RRAM芯片，目前正在进行验证。公司称，该芯片采用28nm CMOS工艺、1T4R结构，容量为1Gb，密度为30Mb/mm²，访问延迟低于20ns，并配备片上硬件纠错功能。其架构由四个电阻式存储单元共用一个选通晶体管，以降低每个单元的晶体管面积开销。
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